渦輪分子泵應(yīng)用于磁控濺射系統(tǒng)
磁控濺射  Megnetron Sputtering 是物理氣相沉積 Physical Vapor Deposition, 簡(jiǎn)稱 PVD 的一種, 可用于金屬及氧化物薄膜的制備, 具有設(shè)備簡(jiǎn)單, 易于控制, 鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn), 磁控濺射系統(tǒng)對(duì)真空要求較高, 真空度一般要求在 5*10-7 至 10-10 mbar, 因此需要配置性能穩(wěn)定的分子泵.
上海伯東渦輪分子泵應(yīng)用于磁控濺射鍍膜機(jī)客戶案例: 某研究所磁控濺射系統(tǒng)用于光刻膠片上濺金屬鉻, 銅, 鈦. 其中材料生長(zhǎng)腔工作真空度要求 < 10-7 hPa, 能做到4英寸片, 3靶位, 可實(shí)現(xiàn)編程鍍膜. 材料生長(zhǎng)腔對(duì)渦輪分子泵的要求較高, 經(jīng)過(guò)伯東推薦加裝普發(fā) Pfeiffer 分子泵 HiPace 700.

超過(guò)真空系統(tǒng)配置:

	渦輪分子泵 HiPace 700 接口: DN 160 CF-F 極限真空: < 5X10-10 mbar 氮?dú)鈮嚎s比: > 1X1011
	全量程真空規(guī) PKR 251 接口: DN40 CF-F 測(cè)量范圍: 5E-9至 1000 hpa
	HVA 超過(guò)真空閘閥 11000 口徑: DN 100 CF-F 極限真空: 1x10-10 mbar 手動(dòng)操作

Pfeiffer 渦輪分子泵抽速范圍 10 至 2700 L/S, 轉(zhuǎn)速最高 90,000 rpm, 極限真空最大 1E-11 mbar, 對(duì)小分子氣體具有更高的壓縮比, 實(shí)踐證明 Pfeiffer 渦輪分子泵運(yùn)行時(shí)間可以達(dá)到 100,000 小時(shí)! 普發(fā)分子泵提供復(fù)合軸承分子泵和五軸全磁浮分子泵二大系列滿足不同應(yīng)用, 推薦搭配 Pfeiffer 旋片泵和干泵共同使用. 更多分子泵典型應(yīng)用 >>

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