Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 技術參數:
基板尺寸 | < Ф8 X 1wfr |
樣品臺 | 直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉 |
離子源 | 16cm 考夫曼離子源 |
均勻性 | 5% for 4”Ф |
硅片刻蝕率 | 20 nm/min |
溫度 | <100 |
Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 離子源是配伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160
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伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術參數：
離子源型號 | 離子源 KDC 160 |
Discharge | DC 熱離子 |
離子束流 | >650 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 16 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-30 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
中和器 | 燈絲 |
Hakuto 離子刻蝕機 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 . 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
試驗利用遷移率譜分析了離子束刻蝕后的碲鎘汞晶體, 發現 180μm 的 p 型碲鎘汞晶體在刻蝕后完全轉為 n 型, 且由兩個不同電學特性的電子層組成:低遷移率的表面電子層和高遷移率的體電子層.
通過分析不同溫度下的遷移率譜, 表明表面電子層的遷移率不隨溫度而變化, 而體電子層的遷移率隨溫度的變化與傳統的n型碲鎘汞材料一致.
不同厚度下的霍爾參數表明體電子層的電學性質均勻.
另外,通過計算得到表面電子層的濃度要比體電子層高 2—3 個數量級.
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