產品描述

上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 2000 特別適合大中型真空系統, 帶有水冷方式, 低成本設計提供高離子電流. 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.

尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”

放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A

操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

美國 KRI 霍爾離子源 eH 2000 產品特性：

伯東 KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性：

1.水冷 - 與 KRI 霍爾離子源 eh 1000 對比, 提供更高的離子輸出電流

2.可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極

3.寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率

4.多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統; 安裝方便

5.高效的等離子轉換和穩定的功率控制

美國 KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術參數：

伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列在售型號及技術參數:

離子源型號	霍爾離子源 eH2000 eH2000LE eH2000HO
Cathode/Neutralizer	F or HC HC HC
電壓	50-300V 30-150V 50-250V
電流	10A 15A 15A
散射角度	>45
可充其他	Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
氣體流量	2-75sccm
高度	4.0“
直徑	5.7“
水冷	是

美國 KRI 霍爾離子源 eH 2000 應用領域：

伯東 KRI 霍爾離子源 eH2000 應用領域：

1. 離子輔助鍍膜 IAD

2. 預清洗 Load lock preclean

3. 預清洗 In-situ preclean

4. Direct Deposition

5. Surface Modification

6. Low-energy etching

7. III-V Semiconductors

8. Polymer Substrates