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某光學(xué)器件制造商采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 應(yīng)用于光學(xué)器件精密加工, 通過(guò)蝕刻工藝提高光學(xué)器件的聚酰亞胺薄膜的表面光潔度.
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Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 技術(shù)參數(shù)
Φ4 inch X 12片 | 基片尺寸 | Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
均勻性 | ?5% | |
硅片刻蝕率 | 20 nm/min | |
樣品臺(tái) | 直接冷卻,水冷 | |
離子源 | Φ20cm 考夫曼離子源 |
Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-J 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國(guó) 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
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伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
離子源型號(hào) | RFICP 220 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >800 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 20 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
中和器 | LFN 2000 |
采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 可以使 PV、RMS分別為1.347μm和340nm的粗糙表面, 通過(guò)蝕刻其粗糙度可降低至75nm和13nm; PV、RMS分別為61nm和8nm的表面, 其粗糙度可降低至9nm和1nm. 該刻蝕工藝能有效提高光學(xué)器件聚酰亞胺薄膜的表面光潔度.
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