多層膜磁控濺鍍設(shè)備 Multilayer sputter
多層膜的結(jié)構(gòu)廣泛用于各個領(lǐng)域. 在單一材料薄膜無法滿足所需規(guī)格的精密系統(tǒng)中, 高質(zhì)量多層膜的作用至關(guān)重要. 因此, 新材料的開發(fā)和薄膜的準確控制制程已成為當前多層薄膜研究的重要方向. 上海伯東代理多層膜磁控濺鍍設(shè)備 Multilayer sputter 擁有基板公自轉(zhuǎn)機構(gòu), 搭配美國 KRI 離子源可實現(xiàn)多層膜結(jié)構(gòu)并可以一次批量生產(chǎn), 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體, 納米科技, 太陽能電池, 科研等行業(yè), 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
上海伯東多層膜磁控濺鍍設(shè)備配置和優(yōu)點
客制化基板尺寸, 最大直徑可達 12寸晶圓
薄膜均勻度小于 ?3％
磁控濺鍍源（最多6個源）, 靶材尺寸多種可選
射頻, 直流或脈沖直流, 分別用于非導(dǎo)電, 導(dǎo)電靶材
具有順序操作或共沉積的多個濺鍍源
流量控制器（最多4條氣體管線）
基板可加熱到 600?C
基材到靶材的間距可調(diào)節(jié)
每個濺鍍源和基板均安裝遮板

載臺可公自轉(zhuǎn)或定在靶材位置自轉(zhuǎn)
磁控濺鍍設(shè)備基本參數(shù)

腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應(yīng)用
寬大的前開式門, 并有兩個窗口和窗口遮版用于觀察基材和濺鍍源
具有顯示功能的全量程真空計和用于壓力控制的 Baratron 真空計
腔體的極限真空度約 10-8 Torr
選件
可以與傳送腔, 機械手臂和手套箱整合在一起
結(jié)合離子源, 熱蒸發(fā)源, 電子束...
基板可用射頻或直流偏壓
膜厚監(jiān)測儀
射頻等離子清潔用于基材
OES, RGA 或制程監(jiān)控的額外備用端口
應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體類, 納米科技
產(chǎn)品質(zhì)量控制和質(zhì)量檢查
氧化物, 氮化物和金屬材料的研究
太陽能電池
光學研究, 材料研究

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