原子層沉積 ALD 是基于順序使用氣相化學(xué)過程的重要技術(shù)之一, 它可以被視為一種特殊類型的化學(xué)氣相沉積 CVD . 多數(shù) ALD反應(yīng)使用兩種或更多種化學(xué)物質(zhì)（稱為前驅(qū)物, 也稱為“反應(yīng)物”）. 這些前驅(qū)物以一種連續(xù)的且自我限制的方式, 一次與一種材料的表面反應(yīng). 通過多個(gè) ALD 循環(huán), 緩慢地沉積薄膜.
熱沉積式的 ALD 需要較高的制程溫度 (傳統(tǒng)為 150-350?C). 上海伯東代理原子層沉積設(shè)備可以精準(zhǔn)的控制 ALD 的制程, 薄膜的厚度和均勻度皆小于 /- 1％, 廣泛應(yīng)用于 OLED 和硅太陽(yáng)能電池的鈍化層, 微機(jī)電系統(tǒng), 納米電子學(xué), 納米孔結(jié)構(gòu)薄膜, 光學(xué)薄膜, 薄膜封裝技術(shù)等領(lǐng)域.
上海伯東原子層沉積設(shè)備配置和優(yōu)點(diǎn)
ALD 具有許多優(yōu)點(diǎn), 例如出色的均勻性, 在復(fù)雜形狀的基板表面上沉積的具有相同膜厚的膜保形性, 低溫處理. 因此, ALD 被廣泛應(yīng)用于微電子, 納米技術(shù)和生物技術(shù)領(lǐng)域中.
客制化的基板尺寸, 最大直徑可達(dá) 300mm 晶圓
優(yōu)異的薄膜均勻度小于 ?1％
較高的深寬比和復(fù)雜結(jié)構(gòu)具有相同特性之薄膜沉積
薄膜具有高致密性
前驅(qū)物材料可多達(dá) 6種并可分別加熱到 200?C
快速脈沖的氣體輸送閥, 反應(yīng)時(shí)間為 10毫秒
通過穩(wěn)定的溫度控制, 將基板載臺(tái)加熱到 400?C
材料: Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2, TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt … 等等
原子層沉積設(shè)備腔體和選件
原子層沉積設(shè)備腔體為鋁腔或者不銹鋼腔體, 其占地面積小, 可縮短制程時(shí)間, 通過使用水冷系統(tǒng), 加熱器或加熱包來(lái)控制腔體溫度.
設(shè)備可以與傳送腔, 機(jī)械手臂和手套箱整合在一起, 搭配使用橢圓偏振光譜儀和高真空傳送系統(tǒng).

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