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某傳感器制造商為了制備出具有高結晶度、大比表面積、排列規則的納米結構 WO3 薄膜, 經過對比選擇, 采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射沉積設備鍍制 WO3 薄膜.
KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:
射頻離子源型號 | RFICP380 |
Discharge 陽極 | 射頻 RFICP |
離子束流 | >1500 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 39 cm |
直徑 | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
氣體傳感器可以將被檢測氣體的種類、濃度等信息轉變為可測信號, 并將計算機與被檢測到的信號連接口相連接, 構成自動的監控、檢測和報警系統. 氧化鎢薄膜可以吸附各種氣體, 從而導致薄膜的電阻或光學參數的變化, 常常應用于氣體傳感器領域.
KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
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