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KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積紅外器件介質膜

價格:面議瀏覽:190次聯系:張婷婷 / 15021001340 / 0755-25473928企業:伯東貿易(深圳)有限公司留言店鋪收藏

某紅外半導體鍍膜工業廠商采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積紅外器件介質膜, 以提高鍍膜厚度的均勻性. 

 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:

離子源型號

RFICP220

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>800 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

離子束

聚焦,  平行,  散射

流量

10-40 sccm

通氣

Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

30 cm

直徑

41 cm

中和器

LFN 2000

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

KRI 射頻離子源 RFICP 220

提高鍍膜均勻性的重要性:

以碲鎘汞半導體材料為代表的紅外探測器器件工藝中, 幾乎都要進行表面鈍化和金屬膜電極成型工藝, 在紅外焦平面和讀出電路的互連工藝中, 金屬膜的厚度均勻性對于互連工藝的可靠性起著至關重要的作用.  在背照式紅外探測器的紅光收面, 往往都要涂鍍一層或數層介質膜, 以起到對器件進行保護和對紅外輻射減反射的作用, 介質膜的厚度均勻性同樣會影響探測器的濾光和接收帶寬. 

 

為了提高均勻性, 客戶同時采用基片離心旋轉法, 樣品臺轉速為 15 r/min. 

 

KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.

 

若您需要進一步的了解詳細信息或討論,  請參考以下聯絡方式:

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
T: 86-21-5046-1322                   T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1490                        F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076                     M: 886-939-653-958
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