為了得到最佳性能的磁控濺射 Cu-W 薄膜, 某大學新材料研究所采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射技術在基片上沉積 Cu-W 膜.

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:

上圖為磁控濺射系統工作示意圖

KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的. 因此伯東的KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP380 被客戶采用作為 4, 5 濺射離子源.

客戶材料:

基片為φ25mmX4mm 的玻璃片, W 靶純度 99.9%, 尺寸 φ76mmX4mm, 銅靶純度 99.99%, 尺寸 φ76mmX4mm, 工作氣體為純度 99.99% 的氬氣.

運行結果:

當 W 含量在11.1%時, Cu-W 薄膜具有最好的硬度和耐磨性.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

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