GdF3光學薄膜擁有優異的光學性能, 在深紫外光學薄膜中有廣泛應用, 以193nm投影光刻為例, 其系統有30~40個光學元件, 且部分元件口徑高達 400mm,為了使系統高質量成像, 不僅要求制備的薄膜具有極高的透過率和良好的抗激光損傷能力, 而且為了膜厚均勻性控制提出了極高的要求.

因此某光學薄膜制造商采用KRI 考夫曼射頻離子源 FRICP220 和射頻離子源 FRICP140輔助濺射制備GdF3光學薄膜, 以求獲得透過率高且良好抗激光損傷能力的均勻性的GdF3光學薄膜.

客戶離子束濺射系統裝置圖如下圖:

其中用于濺射的離子源為 20cm的 KRI 射頻離子源 RFICP220, 輔助離子源為12cm的KRI 射頻離子源 RFICP140.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP140 技術參數:

工藝簡介:

離子源工作氣體為Xe氣, NF3作為輔助氣體反應濺射, 靶材為金屬Gd靶.

KRI 射頻離子源 RFICP220 主要是用于產生高能Xe離子束轟擊靶材, 通過動量傳遞使靶材原子獲得足夠的動能而脫離靶材表面, 射向基板, 在基板的上沉積而形成一層薄膜; 另一個輔助離子源（KRI 射頻離子源 RFICP140）通入NF3, 通過對生長中的薄膜的轟擊, 使得薄膜進一步致密, 同時改善薄膜的化學性能.

運行結果:

KRI 考夫曼射頻離子源輔助濺射制備GdF3光學薄膜具有極高的透過率和良好的抗激光損傷能力, 而且膜厚均勻性良好.

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