在 LED（發光二極管 ）封裝工藝工程中, 器件表面的氧化物及顆粒污染物會降低產品的可靠性, 影響產品的質量. 某 LED制造商為了保證有效清洗 LED 器件表面的氧化物及顆粒污染物, 采用伯東伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 在LED 封裝前進行離子清洗.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 技術參數:

離子源型號	RFICP220
Discharge	RFICP 射頻
離子束流	>800 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	20 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	10-40 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	30 cm
直徑	41 cm
中和器	LFN 2000

 

客戶清洗的工作流程:

在真空狀態下, 利用射頻源將氬氣電離成高能量的離子去撞擊LED上的有機污染物及微顆粒污染物, 從而使得污染物被轟擊除掉.

 

為了避免二次污染, 該清洗工藝, 真空度要求10-7 hPa, 客戶采用的是伯東Pfeiffer 渦輪分子泵 HiPace 1800 UC, 該型號可以倒裝和抗腐蝕,

 

伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 HiPace 1800 技術參數：

分子泵型號	接口 DN		抽速 l/s			壓縮比	最高啟動壓強mbar	極限壓力	全轉速氣體流量hPa l/s	啟動 時間	重量
	進氣	排氣	氮氣 N2	氦氣He	氫氣 H2	氮氣 N2	氮氣N2	hPa	氮氣N2	min	kg
Hipace 1800 UC	200	40	1,450	1,650	1,700	> 1X108	1.8	< 1X10–7	20	4	33 – 34

 

運行結果:

1. 從下圖離子射頻清洗氧化膜前后對比可以看出, KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 有效的清洗除去污染物

從使用和未使用離子清洗的拉力強度對比, 使用離子清洗后鍵合引線拉力強度有明顯增加

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

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