KRI 離子源應用于電子束蒸鍍設備 E-beam Evaporation System
特殊的系統設計電子束沉積是一種實用且高度可靠的系統, 上海伯東某客戶電子束蒸鍍系統可針對量產使用單一大坩堝也可以有多個坩堝來達到產品多層膜結構, 在基板乘載上對應半導體研究和大型設備設計單片和多片公自轉的設計. 為了獲得最大的制程靈活性, 可以結合考夫曼離子源進行離子輔助沉積或者預清潔等功能.
----------- 電子束蒸鍍設備 E-beam Evaporation System ----------
上海伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 參數:
型號 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 陽極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
上海伯東美國 KRI 提供霍爾離子源, 考夫曼離子源和射頻離子源, 歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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