KRI 離子源應用于超高真空電子束蒸鍍設備 UHV E-beam System
超高真空環境的特征為其真空壓力低于 10-8 至 10-12 torr, 超高真空環境對于科學研究非常重要, 因為實驗通常要求在整個實驗過程中, 表面應保持無污染狀態和使用低能電子和離子的實驗技術的使用, 而不會受到氣相散射的過度干擾, 在這樣超高真空環境下使用電子束蒸鍍可以提供高質量的薄膜. 上海伯東代理美國 KRI 考夫曼離子源可以在蒸鍍過程中實現預清潔和輔助鍍膜的作用.


如上圖是超高真空電子束蒸鍍設備, 針對超高真空和高溫加熱設計基板旋轉鍍膜機構, 使用陶瓷培林旋轉, 并在內部做水冷循環來保護機構以確保長時間運轉的穩定性.

上海伯東美國 KRI 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RFICP  系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.

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