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KRi 離子源常見工藝應(yīng)用
通過使用上海伯東美國 KRi 離子源可以對(duì)材料進(jìn)行加工, 真空環(huán)境下, 實(shí)現(xiàn)沉積薄膜, 干式蝕刻和材料表面改性等工藝.
KRi 離子源常見工藝應(yīng)用
工藝應(yīng)用 | 簡稱 |
In-situ substrate preclean 預(yù)清潔 | PC |
Ion-beam modification of material and surface properties | IBSM |
- Surface polishing or smoothing 表面拋光 |
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- Surface nanostructures and texturing |
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- Ion figuring and enhancement 離子計(jì)算和增強(qiáng) |
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- Ion trimming and tuning 離子修整和調(diào)諧 |
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- Surface-activated bonding 表面激活鍵合 | SAB |
Ion-beam-assisted deposition 輔助鍍膜 | IBAD |
Ion-beam etching 離子蝕刻 | IBE |
- Reactive ion-beam etching 活性離子束蝕刻 | RIBE |
- Chemically assisted ion-beam etching 化學(xué)輔助離子束蝕刻 | CAIBE |
Ion-beam sputter deposition 離子濺射 | IBSD |
- Reactive ion-beam sputter deposition 反應(yīng)離子濺射 | RIBSD |
- Biased target ion-beam sputter deposition | BTIBSD |
Direct deposition 直接沉積 | DD |
- Hard and functional coatings |
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1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計(jì)原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領(lǐng)域, 上海伯東是美國 KRi考夫曼公司離子源中國總代理.
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