上海伯東 Hakuto 日本原裝設計制造離子束刻蝕機 IBE (離子蝕刻機) 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 納米級別材料的表面刻蝕, 刻蝕均勻性 ≤?5%. 幾乎滿足所有材料的刻蝕. 例如磁性材料, 黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 廣泛應用于 RF 射頻器件, MEMS 傳感器, 磁性器件 …, 滿足研發和量產需要. IBE 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料.
離子刻蝕機 4IBE 離子刻蝕機 20IBE 全自動蝕刻機 MEL 3100
離子束刻蝕機 IBE 特性:
1. 干法刻蝕, 物理蝕刻, 納米級別的刻蝕精度
2. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀
3. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上,可以在低溫環境下蝕刻.
4. 配置公轉自轉傳輸機構 ”Dry Chuck Planet ”, 使得樣品可以得到比較均勻平滑的表面. 刻蝕均勻性 ≤?5%
5. 幾乎滿足所有材料的刻蝕, IBE 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料
6. 配置德國 Pfeiffer 分子泵
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離子束刻蝕機 IBE 型號參數
上海伯東提供用于研究分析的小尺寸離子刻蝕機, 用于生產制造的大尺寸離子蝕刻機, 以及全自動刻蝕機. 滿足研發和量產需求！
型號 | 4IBE | 7.5IBE | 10IBE | 16IBE | 20IBE-C | 20IBE-J | MEL 3100 |
樣品數量尺寸 | φ4”X 1 | φ4” X1 | φ8” X1 | φ6”X1 | φ3” X8 | φ4” X12 | φ3” -φ6”X1 |
離子束入射角度 | 0～? 90 | 0～? 90 | 0～? 90 | 0～? 90 | 0～? 90 | 0～? 90 | - |
離子源 | 考夫曼型 | 考夫曼型 | 考夫曼型 | 考夫曼型 | 考夫曼型 | 考夫曼型 | - |
極限真空度 Pa | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦1x10-4 | ≦8x10-5 |
均勻性 | ≤?5% | ≤?5% | ≤?5% | ≤?5% | ≤?5% | ≤?5% | ≤?5% |
上海伯東日本原裝進口離子束刻蝕機推薦應用:
類別 | 器件 | 刻蝕材料 |
磁性器件 | 自旋電子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDD | Ni-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等… |
傳感器 MEMS | 鉑熱電阻, 流量計, 紅外傳感器, 壓電打印機頭等 | PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等… |
RF 射頻器件 | 射頻濾波器, GaAs / GaN HEMT 等 | Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等 |
光電子 | 激光二極管, 光電探測器, 薄膜分裝等 | Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等 |
其他 | 探針卡, 薄膜片式電阻器, 氧化物, 超導等 | NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等 |
自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子刻蝕機. 刻蝕機配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵. 伯東公司超過 50年的離子束刻蝕市場經驗, 擁有龐大的安裝基礎和經過市場驗證的刻蝕技術! 上海伯東也是美國 KRi 離子源中國總代理, KRi 離子源適用于各類真空設備, 實現離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝.
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